化学气相淀积方法是半导体研究界和产业界中应用最为广泛的用于制备薄膜材 料的常用方法之一，可制备的薄膜材料包括大多数半导体薄膜、介质薄膜、金属及合 金薄膜。
随着半导体器件性能的提高，对于材料的质量要求也随之提高。

对于CVD材料 生长设备来说，要获得高质量的材料，首先必须保证作为反应物的气源由源区至反应 区的输运及控制过程中的纯度，即保证整个配气气路的气密性。目前，CVD材料生 长设备的配气气路一般采用卡套式管接头或VCR接头来实现输气管道、控制元件之 间的密封连接。

VCR连链接管密封带性较为好，装配替换简便，但的价钱较贵。为大幅度降低實驗及的生产产品成本， 常进行卡套式管连链接管实现目标气路的密封带链接。卡套式管连链接管存在机构简单的、克重轻、体 积小、施用简便、不带焊结，又很存在正常的耐冲击性、耐振荡性、耐温性及稳定的密 封性，的价钱远高出VCR连链接管。

分为卡套式管废金属直插头做好气路联系，代价较低的一同又 能要确保联系处的密封性性，但施工使用时就必要从某个气路的一头开端挨个施工使用到另外一个头， 放置不动一头废金属直插头体后插入图总长合适的的废金属管并放置不动卡套，再施工使用另外一个头的卡套及废金属直插头体 并放置不动废金属直插头体和卡套；要保养或拆装工作时也必要从某个气路的某些头丌始拆装工作到要 检查或转换的机械部件就行。

这就给配气安全装置的气路维修造成 了好大的方便，还是比较是当气 路中的某些个掌握组件想要重命名时，就必需从气路的一边开端到想要重命名的结构件为 止，将其的气路排水管道和掌握组件所有的从左到右卸下来。

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